3.1材料结构、发布蜂窝相变及缺陷的分析2017年6月，发布蜂窝Isayev[4]等人将AFLOW库和结构-性能描述符联系起来建立数据库，利用机器学习算法对成千上万种无机材料进行预测。
最近，将支接三维拓扑绝缘体中拓扑表面态的WAL效应的观察结果已得到广泛报道。c)ΔGxx(黑色空心方块)随角度的变化，物联网联ΔGxx即测量的纵向电导Gxx(θ)与图b中蓝色曲线之间的差值，红色曲线是HLN表达式的拟合结果。
发布蜂窝c)B=2T时BSTS表面态贡献率随测量温度的变化。通过消除体相态的各向异性磁导的贡献，将支接使用HLN方程进一步定量和精确地分析拓扑表面态的WAL效应。物联网联图4BSTS器件栅极电压可调的磁电输运特性a)不同栅极电压下BSTS器件在零磁场中的R-T曲线。
通常，发布蜂窝假设拓扑绝缘体体态的磁导是各向同性的，发布蜂窝在减去在平行方向(电流平行于磁场方向)中测量的体态的磁导之后使用Hikami-Larkin-Nagaoka(HLN)方程可以定量地分析二维拓扑表面态的WAL效应。b)不同栅极电压下BSTS器件的霍尔电阻(Rxy)随测量磁场的变化，将支接红线为线性拟合结果。
图3各向异性磁阻(AMC)在x-z平面倾斜中随温度的变化a)不同温度下的BSTS器件的各向异性磁导，物联网联测量磁场大小为2T。
c)x-z平面中，发布蜂窝T=2K时，BSTS器件在施加磁场方向与电流(I)方向垂直(θ=0°，黑色曲线)和平行(θ=90°，红色曲线)时的磁阻曲线。将支接本文由材料人专栏科技顾问罗博士供稿。
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将支接Fig.5AbinitiocalculationsoftheredoxmechanismofLi2Mn2/3Nb1/3O2F.manganese(a)andoxygen(b)averageoxidationstateasafunctionofdelithiation(xinLi2-xMn2/3Nb1/3O2F)andartificiallyintroducedstrainrelativetothedischargedstate(x=0).c,ChangeintheaverageoxidationstateofMnatomsthatarecoordinatedbythreeormorefluorineatomsandthosecoordinatedbytwoorfewerfluorineatoms.d,ChangeintheaverageoxidationstateofOatomswiththree,fourandfiveLinearestneighboursinthefullylithiatedstate(x=0).Thedataincanddwerecollectedfrommodelstructureswithoutstrainandarerepresentativeoftrendsseenatalllevelsofstrain.Theexpectedaverageoxidationstategivenina-dissampledfrom12representativestructuralmodelsofdisordered-rocksaltLi2Mn2/3Nb1/3O2F,withanerrorbarequaltothestandarddeviationofthisvalue.e,AschematicbandstructureofLi2Mn2/3Nb1/3O2F.小结目前锂离子电池及其他电池领域的研究依然是如火如荼。通过不同的体系或者计算，物联网联可以得到能量值如吸附能，活化能等等。